[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201910640542.8 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729277A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张丰愿;刘钦洲;钱清河;黄博祥;诺·穆罕默德·艾杜维蒂尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露的一些实施方式说明一种半导体结构。半导体结构包括第一晶片，第一晶片具有第一导线与形成在第一导线上的第一导电岛。第一晶片还包括第一复数通孔，第一复数通孔形成在第一导电岛中，且电性耦接至第一导线。半导体结构还包括接合至第一晶片的第二晶片，其中第二晶片包括第二导线与形成在第二导线上的第二导电岛。第二晶片还包括第二复数通孔，第二复数通孔形成在第二导电岛中，且电性耦接至第二导线。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 复数通孔 导电岛 半导体结构 电性耦接 接合 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：/n一第一晶片包含：/n一第一导线；/n一第一导线岛，形成在该第一导线上；以及/n一第一复数通孔，形成在该第一导电岛中，且电性耦接至该第一导线；以及/n一第二晶片，接合至该第一晶片，该第二晶片包含：/n一第二导线；/n一第二导线岛，形成在该第二导线上；以及/n一第二复数通孔，形成在该第二导电岛中，且电性耦接至该第二导线。/n
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