[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201910641727.0 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110379825A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 林永璨;内藤逹也 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;张振军 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种背照式图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管以及浮置扩散区；在所述半导体衬底的正面形成金属薄膜，所述金属薄膜覆盖所述光电二极管；在所述金属薄膜的表面形成存储器件以及开关器件，所述存储器件经由所述开关器件与所述浮置扩散区电连接。本发明方案可以避免存储器件受到光线照射的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器件 金属薄膜 衬底 背照式图像传感器 半导体 浮置扩散区 光电二极管 开关器件 表面形成 光线照射 电连接 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管以及浮置扩散区；在所述半导体衬底的正面形成金属薄膜，所述金属薄膜覆盖所述光电二极管；在所述金属薄膜的表面形成存储器件以及开关器件，所述存储器件经由所述开关器件与所述浮置扩散区电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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