[发明专利]碳纳米管场发射体及其制备方法有效
| 申请号： | 201910642083.7 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN112242281B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;周段亮;张春海;潜力;王昱权;郭雪伟;马丽永;王福军;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/18 | 分类号： | H01J9/18;H01J9/02;H01J1/304;C01B32/168 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管场发射体的制备方法，包括以下步骤：在温度1400℃‑1800℃压力40Mpa‑60Mpa的条件下处理碳纳米管膜形成第一碳纳米管结构体；高温热处理所述第一碳纳米管结构体使所述第一碳纳米管结构体石墨化形成第二碳纳米管结构体；焊接至少两个电极片将至少一第二碳纳米管结构体的一端固定在相邻的两个电极片之间形成场发射预备体，该场发射预备体具有一发射端；粘结处理所述场发射预备体的发射端，形成碳纳米管场发射体。另外，本发明还涉及一种碳纳米管场发射体。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 发射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910642083.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
