[发明专利]影像传感器与其形成方法在审
| 申请号： | 201910642616.1 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729316A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 王兆圻;赖佳平;曾仲铨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 影像传感器包括光二极管位于半导体基板中；以及内连线结构位于半导体基板上。内连线结构包括接点蚀刻停止层；多个介电层位于接点蚀刻停止层上；以及多个金属化层位于介电层中。介电层的至少一者包括低介电常数的介电材料。开口延伸穿过介电层，以露出二极管的主动区上的接点蚀刻停止层的一部分。盖层位于开口的侧壁上。盖层包括的介电材料的抗湿气性大于低介电常数的介电材料的抗湿气性。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 蚀刻停止层 介电材料 半导体基板 低介电常数 内连线结构 抗湿气性 盖层 开口 影像传感器 二极管 光二极管 金属化层 延伸穿过 主动区 侧壁 | ||
【主权项】：
1.一种影像传感器，包括：/n一光二极管，位于一半导体基板中；/n一内连线结构，位于该半导体基板上，且该内连线结构包括：/n一接点蚀刻停止层；/n多个介电层，位于该接点蚀刻停止层上，其中所述多个介电层的至少一者包括低介电常数的介电材料；以及/n多个金属化层，位于所述多个介电层中；/n一开口，延伸穿过所述多个介电层，该开口露出该光二极管的一主动区上的该接点蚀刻停止层的一部分；以及/n一盖层，位于该开口的侧壁上，其中该盖层包括的介电材料的抗湿气性大于该低介电常数的介电材料的抗湿气性。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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