[发明专利]一种半导体超薄外延结构有效
| 申请号： | 201910643472.1 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110534622B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;马后永;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200013 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体超薄外延结构，包括：位于衬底上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层上的应力调节层；位于多周期应力调节层上的发光层；位于发光层上的第二导电类型外延层。利用应力调节层来调节第一导电类型外延层中由于生长产生的应力，减小应力对发光层的影响，提高发光层发光效率。进一步的，在应力调节层顶部生长第一导电类型位错微调层，来控制进入发光层的位错浓度，提高发光层的发光效率。由于外延结构非常薄，在制备器件的过程中，刻蚀后外延结构的侧壁倾斜度很小，近似垂直，由于刻蚀后的外延结构顶部和底部的面积相近，使得芯片上单位面积的外延台阶数量有效增加，提高了芯片集成度，提高了器件单位面积的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 超薄 外延 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体超薄外延结构，其特征在于，包括：/n一衬底；/n位于衬底上的第一导电类型外延层；/n位于第一导电类型外延层上的应力调节层；/n位于多周期应力调节层上的发光层；/n位于发光层上的第二导电类型外延层。/n
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