[发明专利]一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法有效
| 申请号： | 201910643820.5 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110364573B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 廖佳佳;罗远东;曾斌建;曾诗妍;彭强祥;廖敏;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/792;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种存储器件、存储器及制备存储器件的方法，其中，存储器件包括衬底、隔离层、缓冲层、铁电层、第一浮栅金属层、电荷捕获层、隧穿层和栅金属层；衬底两边形成有隔离层，用于隔离相邻的存储器件；两边的隔离层之间的衬底上设置有有源区；有源区一边形成源区，另一边形成漏区；源区和漏区通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成器件的外围电路控制；缓冲层覆盖隔离层和有源区上不与金属连线连接的部分；铁电层、电荷捕获层、第一浮栅金属层、隧穿层和栅金属层依次设置在源区和漏区之间的缓冲层上。由铁电层和电荷捕获层共同实现存储功能，铁电层极化时产生的电场作用于电荷捕获层存储信息，增加器件的抗疲劳性能，提高存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 器件 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，其特征在于，包括衬底(1)、隔离层(2)、缓冲层(5)、铁电层(7)、第一浮栅金属层(8)、电荷捕获层(9)、隧穿层(10)和栅金属层(11)；所述衬底(1)两边形成有所述隔离层(2)，用于隔离相邻的所述存储器件；两边的所述隔离层(2)之间的所述衬底(1)上设置有有源区；所述有源区一边形成源区(3)，另一边形成漏区(4)；所述源区(3)和所述漏区(4)通过金属连线与上层金属连线连接，经过多层金属互联形成存储器件的外围电路控制；所述缓冲层(5)覆盖所述隔离层(2)和所述有源区上不与所述金属连线连接的部分；所述铁电层(7)、所述第一浮栅金属层(8)、所述电荷捕获层(9)、所述隧穿层(10)和所述栅金属层(11)依次设置在所述源区(3)和所述漏区(4)之间的所述缓冲层(5)上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910643820.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
