[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910643877.5 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110379858A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括纳米条或纳米片；纳米条或纳米片包括由硅材料组成的主体层，在主体层的顶部表面和侧面形成有由锗硅层和锗层叠加而成的表面层；由表面层形成半导体器件的沟道区，在半导体器件导通时沟道区被反型并形成二维载流子气，利用锗的禁带宽度小于硅的禁带宽度的特点，提高沟道区的二维载流子气的量子阱深度并从而提高二维载流子气的载流子浓度；利用锗的有效载流子质量小的特点，提高沟道区的载流子迁移率。本发明能提高器件的性能如沟道区的导电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 载流子 半导体器件 二维 表面层 纳米片 主体层 禁带 载流子迁移率 有效载流子 导电性能 顶部表面 硅材料 量子阱 锗硅层 导通 反型 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：纳米条或纳米片；所述纳米条或纳米片包括由硅材料组成的主体层，在所述主体层的顶部表面和侧面形成有由锗硅层和锗层叠加而成的表面层；由所述表面层形成半导体器件的沟道区，在所述半导体器件导通时所述沟道区被反型并形成二维载流子气，利用锗的禁带宽度小于硅的禁带宽度的特点，提高所述沟道区的二维载流子气的量子阱深度并从而提高所述沟道区的二维载流子气的载流子浓度；利用锗的有效载流子质量小的特点，提高所述沟道区的载流子迁移率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910643877.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
