[发明专利]半导体器件的纳米条或纳米片宽度的测量方法有效
| 申请号： | 201910643890.0 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110411392B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 翁文寅 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/02 | 分类号： | G01B21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的纳米条或纳米片宽度的测量方法，包括步骤：步骤一、获取纳米条或纳米片的自热效应产生的温度变化和自热效应指数的关系曲线；步骤二、提供具有纳米条或纳米片的被测试半导体器件；步骤三、采用自热效应测试被测试半导体器件的纳米条或纳米片的温度变化；步骤四、结合被测试半导体器件的纳米条或纳米片的温度变化和关系曲线获得被测试半导体器件的纳米条或纳米片的自热效应指数并从而获得被测试半导体器件的纳米条或纳米片的宽度。本发明具有非破坏性，能提高测量速度和降低测试复杂性，能进行多面测量，能进行多样品测量并形成分布图，与电性良率连结高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 纳米 宽度 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的纳米条或纳米片宽度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、获取纳米条或纳米片的自热效应产生的温度变化和自热效应指数的关系曲线；所述自热效应指数和纳米条或纳米片的高度和宽度相关；步骤二、提供具有纳米条或纳米片的被测试半导体器件；步骤三、采用自热效应测试所述被测试半导体器件的纳米条或纳米片的温度变化；步骤四、结合所述被测试半导体器件的纳米条或纳米片的温度变化和所述关系曲线获得所述被测试半导体器件的纳米条或纳米片的自热效应指数，通过获得的所述被测试半导体器件的纳米条或纳米片的自热效应指数得到所述被测试半导体器件的纳米条或纳米片的宽度。
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