[发明专利]竖直半导体器件在审
| 申请号： | 201910644213.0 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110970442A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 郑泰哲;朴凤泰;沈载株 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11529 | 分类号： | H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种竖直半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一区域上的导电图案沿第一方向延伸。第一区域包括单元区域、第一虚设区域和第二虚设区域。导电图案沿第一方向延伸。焊盘设置在第二区域上，焊盘接触导电图案的侧面。多个第一虚设结构延伸穿过第一虚设区域上的导电图案。多个第二虚设结构延伸穿过第二虚设区域上的导电图案，第二虚设结构设置成沿与第一方向垂直的第二方向延伸的多列。第二虚设结构的上表面的宽度在每列中不同，并且第二虚设结构的上表面的宽度朝向第二区域增加。 | ||
| 搜索关键词： | 竖直 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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