[发明专利]一种氧化铜纳米线及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910644296.3 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110342563A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 夏晓红;高云;曹宇光 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;H01M4/48;H01M4/66;H01M10/0525;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 瞿晓晶 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于锂离子电池材料技术领域，尤其涉及一种氧化铜纳米线及其制备方法和应用。本发明采用阳极氧化法制得氢氧化铜纳米线，然后退火处理得到氧化铜纳米线，方法简单易行，无需模板辅助纳米线成型生长，氧化铜纳米线直接生长在铜箔基底上，所制备的氧化铜纳米线的长度为8～15μm，直径为50～300nm，纳米线交错生长，分布均匀，完整覆盖铜箔表面，具有稳定均一的形貌尺寸。将所述氧化铜纳米线应用于锂离子电池时，衬底铜箔可作为锂离子电池的负极材料集流体，与氧化铜纳米线结合良好，无需粘结剂辅助与铜箔集流体结合，简化了电池制备的操作工艺，且所得的氧化铜纳米线作为负极材料的充放电比容量较高、循环性能较为稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铜纳米线 纳米线 制备方法和应用 锂离子电池 负极材料 铜箔 锂离子电池材料 阳极氧化法制 铜箔集流体 形貌 操作工艺 电池制备 氢氧化铜 铜箔表面 退火处理 循环性能 直接生长 比容量 充放电 集流体 粘结剂 生长 衬底 基底 均一 制备 成型 交错 覆盖 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氧化铜纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将铜箔在电解液中进行电沉积，得到氢氧化铜纳米线；将所述氢氧化铜纳米线进行退火处理，得到氧化铜纳米线。
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