[发明专利]一种VCSEL激光器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910644334.5 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110233425A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;彭钰仁;杜石磊 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种VCSEL激光器及其制作方法，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小，从而能够有效地将电流导向由第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道限定的区域，提高激光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 导电通道 氧化层 绝缘介质层 欧姆接触层 透明导电层 电流导向 激光效率 依次减小 出光孔 有效地 制作 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种VCSEL激光器，其特征在于，包括：沿垂直方向依次层叠的第一电极、导电基板、键合层、透明导电层、第一欧姆接触层、第一DBR层、第一氧化层、有源层、第二氧化层、第二欧姆接触层和第二DBR层，所述透明导电层位于所述导电基板的中心区域，所述第一欧姆接触层位于所述第一DBR层的中心区域，所述第二DBR层位于所述第二欧姆接触层的中心区域，还包括绝缘介质层和环形第二电极，所述绝缘介质层设于所述导电基板和所述第一DBR层之间并环绕所述透明导电层和第一欧姆接触层设置，所述环形第二电极设于所述第二欧姆接触层设有第二DBR层的一侧并环绕所述第二DBR层设置，所述透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，所述第一氧化层具有第二导电通道，所述第二氧化层具有第三导电通道，所述环形第二电极的中空部位构成出光孔，所述出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小。
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