[发明专利]一种单相电压源型大功率逆变拓扑及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201910648216.1 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN110429849B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 冯夏云;汪飞;全晓庆;任林涛;施云杰 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H02M7/5387 分类号: H02M7/5387
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 陆聪明
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种单相电压源型大功率逆变拓扑及控制方法,包括4个门极可关断晶闸管、4个绝缘栅双极晶体管、8个续流二极管、1个电容、4个电感和2个电流传感器。全控型门极可关断晶闸管GTO的载流能力很强,特别适合工作在大功率场合,然而电流驱动型器件的开关频率很低,并不适合运用在传统的单相全桥逆变拓扑电路中。针对GTO这种缺陷,结合GTO的大载流能力和IGBT的高开关频率优点,在GTO单相电压源型全桥逆变电路的基础上,并联了传统的基于绝缘栅双极晶体管IGBT的单相电压源型全桥逆变电路,并采用模型前馈控制与反馈闭环控制相结合的控制方法,有效地改善了GTO单相电压源型全桥逆变电路输出特性。
搜索关键词: 一种 单相 电压 大功率 拓扑 及其 控制 方法
【主权项】:
1.一种单相电压源型大功率逆变拓扑,基于GTO电压源型逆变器与IGBT电压源型逆变器,其特征在于:包括第一门极可关断晶闸管(VT1)、第二门极可关断晶闸管(VT2)、第三门极可关断晶闸管(VT3)、第四门极可关断晶闸管(VT4)、第一绝缘栅双极晶体管(V1)、第二绝缘栅双极晶体管(V2)、第三绝缘栅双极晶体管(V3)、第四绝缘栅双极晶体管(V4)、第一二极管(VD1)、第二二极管(VD2)、第三二极管(VD3)、第四二极管(VD4)、第五二极管(VD5)、第六二极管(VD6)、第七二极管(VD7)、第八二极管(VD8)、电容(C)、第一电感(L1)、第二电感(L2)、第三电感(L3)、第四电感(L4)、第一电流传感器(CT1)和第二电流传感器(CT2);直流母线的正极与电容(C)的一端、第一门极可关断晶闸管(VT1)的阳极、第五二极管(VD5)的阴极、第三门极可关断晶闸管(VT3)的阳极、第七二极管(VD7)的阴极、第一绝缘栅双极晶体管(V1)的集电极、第一二极管(VD1)的阴极、第三绝缘栅双极晶体管(V3)的集电极和第三二极管(VD3)的阴极连接;直流母线的负极与电容(C)的另一端、第二门极可关断晶闸管(VT2)的阴极、第六二极管(VD6)的阳极、第二绝缘栅双极晶体管(V2)的发射极、第二二极管(VD2)的阳极、第四门极可关断晶闸管(VT4)的阴极、第八二极管(VD8)的阳极、第四绝缘栅双极晶体管(V4)的发射极和第四二极管(VD4)的阳极连接;第一门极可关断晶闸管(VT1)的阴极与第二门极可关断晶闸管(VT2)的阳极、第一电感(L1)的一端连接;第三门极可关断晶闸管(VT3)的阴极与第四门极可关断晶闸管(VT4)的阳极、第三电感(L3)的一端连接;第一绝缘栅双极晶体管(V1)的发射极与第二绝缘栅双极晶体管(V2)的集电极、第二电感(L2)的一端相连;第三绝缘栅双极晶体管(V3)的发射极与第四绝缘栅双极晶体管(V4)的集电极、第三电感(L3)的一端相连;电网的一端与第一电感(L1)的另一端、第二电感(L2)的另一端连接;电网的另一端与第三电感(L3)的另一端、第四电感(L4)的另一端连接。
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