[发明专利]离子注入方法及离子注入装置在审
| 申请号： | 201910648386.X | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110739213A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 川崎洋司;佐佐木玄 | 申请（专利权）人： | 住友重机械离子科技株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/67;H01J37/317 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 朴勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够实现所期望的注入分布的离子注入技术。离子注入装置(100)具备：射束线装置，输送离子束(B)；晶片保持装置，保持离子束(B)所照射的晶片(W)；及温度调整装置(50)，用于对晶片(W)进行加热或冷却。离子注入装置(100)使用温度调整装置(50)将晶片(W)加热或冷却至规定的温度，以满足规定的通道效应条件的方式将晶片(W)保持于晶片保持装置，对晶片保持装置所保持的规定的温度的晶片(W)照射离子束(B)。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 晶片保持 离子束 离子注入装置 温度调整装置 加热 冷却 照射 离子注入技术 通道效应 射束线 期望 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入方法，其特征在于，包括：/n以满足规定的通道效应条件的方式对第1温度的晶片照射第1离子束的工序；及/n在照射所述第1离子束之后，以满足所述规定的通道效应条件的方式对不同于所述第1温度的第2温度的所述晶片照射第2离子束的工序。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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