[发明专利]一种光子芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910648713.1 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110221387B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 杨林;杨尚霖;张磊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/122 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种光子芯片及其制备方法，芯片包括铌酸锂薄膜调制器阵列(1)、第一光耦合阵列(2)和二氧化硅波导波分复用器(3)，其中：铌酸锂薄膜调制器阵列(1)由一个及以上的铌酸锂薄膜调制器组成，用于对光信号进行调制；第一光耦合阵列(2)由一个及以上的第一光耦合结构组成，第一光耦合结构的一端连接至对应的铌酸锂薄膜调制器，并且其另一端连接至二氧化硅波导波分复用器(3)，以将调制后的光信号传输至二氧化硅波导波分复用器(3)；二氧化硅波导波分复用器(3)用于对调制后的光信号进行波分复用。实现了片上铌酸锂薄膜调制器与片上波分复用结构的单芯片集成，并提高了器件集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光子芯片，包括铌酸锂薄膜调制器阵列(1)、第一光耦合阵列(2)和二氧化硅波导波分复用器(3)，其中：所述铌酸锂薄膜调制器阵列(1)由一个及以上的铌酸锂薄膜调制器组成，用于对光信号进行调制；所述第一光耦合阵列(2)由一个及以上的第一光耦合结构组成，所述第一光耦合结构的一端连接至对应的铌酸锂薄膜调制器，并且其另一端连接至所述二氧化硅波导波分复用器(3)，以将所述调制后的光信号传输至所述二氧化硅波导波分复用器(3)；所述二氧化硅波导波分复用器(3)用于对所述调制后的光信号进行波分复用。
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