[发明专利]一种磷化铟晶片加工方法有效
| 申请号： | 201910650836.9 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110328766B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 索开南;杨洪星;韩焕鹏;张伟才;庞炳远;徐聪;王雄龙;杨静;陈晨 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;B23K26/38;B23K26/402 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种磷化铟晶片加工方法。该方法工艺流程：1、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断；2、将头尾切断后的晶锭在 |
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| 搜索关键词： | 一种 磷化 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磷化铟晶片加工方法，其特征在于，所述方法有以下步骤：S201、将生长的原始单晶根据直径和单晶情况进行头尾切断；S202、将头尾切断后的晶锭在（![]()
）方向制作小参考面；S203、将制作好小参考面的晶锭进行粘棒并定向切割；S204、对切割后形状不规则的晶片按照最小直径进行直径分档；S204.1、对分档后的晶片按照国标规定的标准尺寸进行激光割圆；S205、对激光割圆后的晶片进行边缘倒角；S206、对晶片进行后续加工。
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