[发明专利]一种以引达省并二噻吩为核心的空穴传输材料及其合成方法和应用在审

专利信息
申请号: 201910651230.7 申请日: 2019-07-18
公开(公告)号: CN110498807A 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 陈承;吴成;程明;陶力 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于有机半导体功能材料领域,涉及一种以引达省并二噻吩为核心的空穴传输材料及其合成方法,以及在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明以引达省并二噻吩基团为核心结构,两端连接N,N‑二甲氧基三苯胺,并在核心结构中引入不同的侧链基团,调节材料的分子构型及分子的堆积方式,进而获得不同的材料性能。本发明合成的空穴传输材料具有合成简单、能级可调、高空穴迁移率和导电性、热稳定性和化学稳定性良好等优点,将其应用于钙钛矿太阳能电池中,有助于提升其光电转换效率、增强器件稳定性、降低器件制备成本。
搜索关键词: 空穴传输材料 太阳能电池 核心结构 合成 钙钛矿 功能材料领域 光电转换效率 能级 导电性 化学稳定性 器件稳定性 有机半导体 材料性能 侧链基团 分子构型 甲氧基三 降低器件 热稳定性 噻吩基团 迁移率 苯胺 可调 制备 应用 堆积 高空 引入
【主权项】:
1.一种以引达省并二噻吩为核心的空穴传输材料,其特征在于,化学结构式如下:/n /n其中,R为长碳链基团、苯衍生物、噻吩衍生物、呋喃衍生物或硒吩衍生物侧链基团,具体为下列结构中的一种:/n*-R1/n其中,R1为C1~C12烷烃基的任意一种;X为O、S或Se。/n
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