[发明专利]一种基于双芯片实现的抗辐射高压数模转换系统及方法有效
| 申请号： | 201910651599.8 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110601696B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 屈若媛;张伟;张延伟;祝名;谷重阳;肖波;吕倩倩;张松 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | H03M1/08 | 分类号： | H03M1/08;H03M1/66 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 马全亮 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统及方法，包括：数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线；基准源裸片通过第一管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外低温漂基准参考电压值；薄膜电阻基板通过第二管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外参考电阻值；数模转换裸片用于对输入数字信号进行电流型数模转换。本发明方法解决了由于商业流片工艺线不能提供高精度低温漂电阻及齐纳二极管而影响转换精度的问题，实现了抗辐射的高精度低温漂数模转换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 芯片 实现 辐射 高压 数模 转换 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，其特征在于，包括：数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线；/n基准源裸片通过第一管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外低温漂基准参考电压值；薄膜电阻基板通过第二管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外参考电阻值；数模转换裸片用于对输入数字信号进行电流型数模转换。/n
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