[发明专利]一种碳化硅单晶衬底的加工方法在审
| 申请号： | 201910651649.2 | 申请日： | 2019-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN110539240A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 徐良;阳明益;占俊杰;蓝文安;刘建哲;余雅俊 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B37/04;B24B37/08;B24B57/00;B28D5/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董李欣<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 321000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅单晶衬底的加工方法。该方法包括下列步骤：先用钻石线对碳化硅单晶制品进行切割，然后采用钻石盘进行研磨，之后用钻石抛光液进行粗抛光，最后经过精抛光得到碳化硅单晶衬底。本发明可在加工效率与平面均匀度之间取得双赢，辅以最后一道化学机械精抛光来达成半导体级表面质量要求，此方法可大大降低加工时间与加工成本，同时也有效的提高碳化硅单晶衬底片的加工良率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅单晶 钻石 精抛光 加工 衬底 表面质量要求 半导体级 化学机械 加工效率 研磨 衬底片 粗抛光 均匀度 抛光液 良率 切割 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅单晶衬底的加工方法，其特征在于，包括下列步骤：/n先用钻石线对碳化硅单晶制品进行切割，然后采用钻石盘进行研磨，之后用钻石抛光液进行粗抛光，最后经过精抛光得到碳化硅单晶衬底。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江博蓝特半导体科技股份有限公司，未经浙江博蓝特半导体科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910651649.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
