[发明专利]一种低功耗神经突触薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910653176.X | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110416312B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;李凌凯;邵龑;吴小晗 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低功耗神经突触薄膜晶体管及其制备方法，晶体管的结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、导电沟道以及源‑漏电极，源‑漏电极设置在栅介质层的上表面，导电沟道位于源‑漏电极的上表面及两侧，在源‑漏电极的上表面形成沟道。与现有技术相比，本发明具有法焦级别的超低功耗；不同的介质层制备温度可以实现数毫秒到数千秒可调的记忆时间；同时全无机材料的使用使器件的稳定性得到了很大的提高；该低功耗神经突触薄膜晶体管的柔性和突触性能可用于柔性电子和大规模神经形态电路系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 神经 突触 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低功耗神经突触薄膜晶体管，其特征在于，该晶体管的结构从下至上依次为：背栅电极、栅介质层、导电沟道以及源‑漏电极，所述源‑漏电极设置在所述栅介质层的上表面，所述导电沟道位于所述源‑漏电极的上表面及两侧，在所述源‑漏电极的上表面形成沟道。
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