[发明专利]用于处理基板的方法在审
| 申请号： | 201910653248.0 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739203A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 崔海园;A·科里阿金;郑址洙;崔基勋;李在晟;许瓒宁;金度宪 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;G03F7/30 |
| 代理公司： | 11410 北京市中伦律师事务所 | 代理人： | 钟锦舜;姜香丹 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种基板处理方法包括：通过将显影流体涂覆到经过曝光工艺和后烘工艺的基板而对所述基板执行显影工艺；将冲洗流体涂覆到经过所述显影工艺的所述基板；以及将涂覆有所述冲洗流体的所述基板移动到高压腔室且通过使用超临界流体处理所述基板。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 涂覆 冲洗流体 显影工艺 超临界流体处理 高压腔室 基板处理 基板移动 曝光工艺 显影流体 后烘 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理方法，其包括：/n通过将显影流体涂覆到经过曝光工艺和后烘工艺的基板而对所述基板执行显影工艺；/n将冲洗流体涂覆到经过所述显影工艺的所述基板上；以及/n将涂覆有所述冲洗流体的所述基板移动到高压腔室且通过超临界流体处理所述基板。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
