[发明专利]用于介电材料的蚀刻的预清洁有效
| 申请号： | 201910653312.5 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110739204B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | R·H·J·沃乌尔特;小林伸好;堤隆嘉;堀胜 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 荷兰，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种蚀刻方法，其包括用以去除介电材料的表面氧化物的预清洁过程。所述氧化物的去除可以在所述蚀刻方法之前通过热反应和/或等离子体方法来执行。在一些实施例中，所述氧化物的去除提高了对蚀刻方法的控制和再现性，并且能够改善相对于氧化物的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 材料 蚀刻 清洁 | ||
【主权项】：
1.一种循环蚀刻方法，所述方法包括：/n预清洁介电材料以去除表面氧化物，得到预清洁后的介电表面；和/n蚀刻所述预清洁后的介电表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
