[发明专利]一种参考电压产生电路有效
| 申请号： | 201910653706.0 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110737298B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 林嘉亮 | 申请（专利权）人： | 瑞昱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种参考电压产生电路，包括：第一P型金属氧化物半导体晶体管、第一N型金属氧化物半导体晶体管、第二P型金属氧化物半导体晶体管以及第二N型金属氧化物半导体晶体管，其中：第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极、栅极以及漏极分别耦接于第一节点、第二节点以及第三节点；第一N型金属氧化物半导体晶体管的源极、栅极以及漏极分别耦接于第四节点、第三节点以及第二节点；第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极、栅极以及漏极分别耦接于第三节点、第四节点以及第二节点；以及第二N型金属氧化物半导体晶体管的源极、栅极以及漏极分别耦接于第二节点、第一节点以及第三节点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 参考 电压 产生 电路 | ||
【主权项】：
1.一种参考电压产生电路，包括：/n一第一P型金属氧化物半导体晶体管、一第一N型金属氧化物半导体晶体管、一第二P型金属氧化物半导体晶体管以及一第二N型金属氧化物半导体晶体管，其中：/n该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一源极、一栅极以及一漏极分别耦接于一第一节点、一第二节点以及一第三节点；/n该第一N型金属氧化物半导体晶体管的一源极、一栅极以及一漏极分别耦接于一第四节点、该第三节点以及该第二节点；/n该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一源极、一栅极以及一漏极分别耦接于该第三节点、该第四节点以及该第二节点；以及/n该第二N型金属氧化物半导体晶体管的一源极、一栅极以及一漏极分别耦接于该第二节点、该第一节点以及该第三节点。/n
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