[发明专利]集成单触发开关的爆炸箔超压芯片及其起爆装置有效
申请号: | 201910654279.8 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110411285B | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 朱朋;张秋;沈瑞琪;叶迎华;吴立志;张伟;胡艳 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | F42B3/12 | 分类号: | F42B3/12;F42B3/195 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 张玲 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明属于起爆领域,特别是一种集成单触发开关的爆炸箔超压芯片及其起爆装置。包括集成在同一个陶瓷基底上的单触发开关单元和爆炸箔超压芯片单元,所述爆炸箔超压芯片单元包括爆炸箔阵列区,所述爆炸箔阵列区由多个爆炸箔串联之后并联形成。本发明芯片内采用多个爆炸箔并联的方式,利用多个爆炸箔分别驱动多个飞片冲击起爆多个HNS炸药柱,利用HNS炸药产生的爆轰波相互碰撞、形成马赫反射,产生超压爆轰,超过钝感炸药的临界起爆压力,从而可以取消传爆、扩爆序列直接起爆钝感炸药。且芯片内的开关采用单触发开关,将开关的低压触发回路和爆炸箔超压芯片的高压主回路分开,从而降低了主回路的起爆能量。 | ||
搜索关键词: | 集成 触发 开关 爆炸 箔超压 芯片 及其 起爆 装置 | ||
【主权项】:
1.一种集成单触发开关的爆炸箔超压芯片,其特征在于,包括集成在同一个陶瓷基底(1)上的单触发开关单元和爆炸箔超压芯片单元,所述爆炸箔超压芯片单元包括爆炸箔阵列区(10),所述爆炸箔阵列区(10)由多个爆炸箔串联之后并联形成。
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