[发明专利]一种制备外延硅片的装置及硅源材料纯度检测方法在审
| 申请号： | 201910654566.9 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110412234A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王力;方圭哲;金柱炫 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/2022 | 分类号： | G01N33/2022;G01N33/2028;G01N33/00;G01N1/22;C23C16/455;C23C16/24 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 刘伟;蔡丽 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制备领域，尤其涉及一种制备外延硅片的装置及硅源材料纯度检测方法。所述制备外延硅片的装置包括原料供给单元，所述原料供给单元包括：硅源材料储瓶；硅源材料输出管道；所述硅源材料输出管道的延伸至所述硅源材料储瓶外的一端设置有第二开关；所述原料供给单元还包括：第二气体入口，所述第二气体入口设置于所述硅源材料输出管道位于硅源材料储瓶外的部分；所述第二气体入口相对于第二开关靠近硅源材料储瓶；硅源材料检测组件或取样组件，所述硅源材料检测组件或取样组件与所述第一气体入口连接。本发明的装置简单，安全性高，可以在生产中实现高效的硅源材料纯度检测，避免纯度不合格的硅源材料污染原料输送管道及硅沉积单元。 | ||
| 搜索关键词： | 硅源材料 气体入口 储瓶 原料供给单元 纯度检测 输出管道 外延硅片 制备 检测组件 取样组件 半导体制备 输送管道 污染原料 一端设置 硅沉积 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种制备外延硅片的装置，包括依次连接的原料供给单元，原料输送管道以及硅沉积单元，所述原料供给单元包括：硅源材料储瓶，设置在硅源材料储瓶顶部的第一气体入口，所述第一气体入口与第一氢气供给单元连接，所述第一氢气供给单元上设置有第一开关；硅源材料输出管道，所述硅源材料输出管道的一端延伸至所述硅源材料储瓶的下部，所述硅源材料输出管道的另一端延伸至所述硅源材料储瓶外；所述硅源材料输出管道的延伸至所述硅源材料储瓶外的一端设置有第二开关，其特征在于，所述原料供给单元还包括：第二气体入口，所述第二气体入口设置于所述硅源材料输出管道位于硅源材料储瓶外的部分；所述第二气体入口相对于第二开关靠近硅源材料储瓶；所述第二气体入口通入的气体不与所述硅源材料发生反应；硅源材料检测组件或取样组件，所述硅源材料检测组件或取样组件与所述第一气体入口连接。
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