[发明专利]一种逆变器中功率MOSFET并联均流电路在审
| 申请号： | 201910654830.9 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110518784A | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 杨晓楠;杨阳;徐世文 | 申请（专利权）人： | 杭州洲钜电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M7/5387 |
| 代理公司： | 33235 杭州华知专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 张德宝<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 311122 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种逆变器中功率MOSFET并联均流电路，所述电路包括：控制模块，用于控制整个电路的工作；驱动模块，包括M个智能驱动芯片，每个智能驱动芯片用于驱动逆变器中对应的桥臂，每个智能驱动芯片输出N路可调的驱动信号来分别驱动N个并联MOSFET支路；MOSFET模块，包括功率MOSFET开关器件和RCD吸收电路，所述RCD吸收电路用于吸收所述功率MOSFET开关器件在工作电路中产生的反峰电压；检测模块，包括霍尔传感器和温度传感器，每个MOSFET支路串入一个霍尔传感器以检测每个支路通过所述功率MOSFET开关器件漏极和源极之间的电流，所述温度传感器用于检测每个功率MOSFET开关器件的温度。本发明各MOSFET支路具有各自的驱动信号和电流检测器件，可以实现各MOSFET支路的电流均流和过流检测。 | ||
| 搜索关键词： | 功率MOSFET 支路 开关器件 智能驱动芯片 霍尔传感器 温度传感器 驱动信号 电路 并联均流电路 电流检测器件 并联MOSFET 驱动逆变器 反峰电压 工作电路 过流检测 检测模块 控制模块 驱动模块 可调的 逆变器 检测 均流 漏极 桥臂 源极 驱动 输出 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种逆变器中功率MOSFET并联均流电路，其特征在于，所述电路包括：控制模块、驱动模块、MOSFET模块和检测模块；/n所述控制模块控制整个电路的工作；/n所述驱动模块包括M个智能驱动芯片，每一个智能驱动芯片用于驱动逆变器中对应的桥臂，每一个智能驱动芯片输出N路可调的驱动信号来分别驱动N个并联MOSFET支路；/n所述MOSFET模块包括功率MOSFET开关器件和RCD吸收电路，所述RCD吸收电路用于吸收所述功率MOSFET开关器件在工作电路中产生的反峰电压；/n所述检测模块包括霍尔传感器和温度传感器，每个MOSFET支路串入一个霍尔传感器以检测每个支路通过所述功率MOSFET开关器件漏极和源极之间的电流，所述温度传感器用于检测每个功率MOSFET开关器件的温度。/n
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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