[发明专利]鳍式场效应晶体管器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910655551.4 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110970294B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 洪志昌;冯玠宁;赖俊良;林益安;陈嘉仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：形成突出于衬底上方的第一鳍和第二鳍；在第一鳍和第二鳍的相对侧上形成隔离区域；在第一鳍上方和第二鳍上方形成金属栅极，金属栅极被第一电介质层包围；在第一鳍与第二鳍之间的金属栅极中形成凹槽，其中，凹槽从金属栅极的远离衬底的上表面延伸到金属栅极中，其中，凹槽具有远离衬底的上部和位于上部与衬底之间的下部，其中，上部具有第一宽度，并且下部具有大于第一宽度的第二宽度，第一宽度和第二宽度沿着金属栅极的纵向方向进行测量。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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