[发明专利]光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法

摘要

一种光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法，其中光学临近修正方法包括：提供目标图形；增大目标图形的边长，形成初始图形；对初始图形进行修正，获得对应的第一修正图形；形成辅助图形，辅助图形包围第一修正图形；将第一修正图形和辅助图形进行差异因子比较；如果差异因子的值大于预定阈值，增大所第一修正图形对应的目标图形的面积，形成修正目标图形；对第一修正图形进行过程修正，获取对应的过程修正图形；重复上述进行差异因子比较的步骤，直至修正满足的预定次数；对形成的第一修正图形和过程修正图形进行最终修正，获取修正图形。本发明保证光刻图形转移到晶圆上的准确性，保证形成的半导体器件能够达到设计的尺寸要求。