[发明专利]一种高孔隙率和高强度的氮化硅陶瓷及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910656251.8 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN110483061A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 郭伟明;张威;于俊杰;伍尚华;林华泰 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/591 | 分类号： | C04B35/591;C04B35/596;C04B35/622;C04B38/02;B01D69/10;B01D46/00;B01J27/24;B01J32/00;B01J35/10 |
| 代理公司： | 44329 广东广信君达律师事务所 | 代理人： | 杨晓松<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 510062 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于多孔陶瓷材料技术领域，公开了一种高孔隙率和高强度的氮化硅陶瓷及其制备方法和应用。所述氮化硅陶瓷是将硅粉、硼粉、MgO、Yb2O3、ZrO2加入溶剂进行球磨混合，其中ZrO2与硼粉的质量比为(2～6)：(5～13)，将混合粉体模压制成的混合粉末坯体，在反应气氛下，在真空条件下升温至800～1200℃煅烧并保温Ⅰ，再升温至1200～1600℃煅烧并充入反应气体N2保温Ⅱ制得。所述氮化硅陶瓷中气孔率达到了25～65vol％，室温抗弯强度为75～287MPa；氮化硅陶瓷中β‑Si3N4的含量10～60vol％。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅陶瓷 硼粉 煅烧 保温 制备方法和应用 多孔陶瓷材料 反应气氛 反应气体 高孔隙率 混合粉末 混合粉体 球磨混合 真空条件 再升温 质量比 中气孔 溶剂 硅粉 抗弯 坯体 | ||
【主权项】：
1.一种高孔隙率和高强度的氮化硅陶瓷，其特征在于，所述氮化硅陶瓷是将硅粉、硼粉、MgO、Yb2O3、ZrO2加入溶剂进行球磨混合，其中ZrO2与硼粉的质量比为(2～6)：(5～13)，将混合粉体模压制成的混合粉末坯体，在反应气氛下，在真空条件下升温至800～1200℃煅烧并保温Ⅰ，再升温至1200～1600℃煅烧并充入反应气体N2保温Ⅱ制得。/n
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