[发明专利]一种小粒径YAG:Ce荧光粉的制备方法有效
申请号: | 201910657381.3 | 申请日: | 2019-07-19 |
公开(公告)号: | CN110396408B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 尹良君;陈泓任;张胜辉;王萌;简贤 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C09K11/80 | 分类号: | C09K11/80 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 吴姗霖 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
一种小粒径YAG:Ce荧光粉的制备方法,属于稀土发光材料技术领域。首先,采用化学气相沉积法对荧光粉进行碳包覆,使得YAG:Ce荧光粉表面包覆碳层;然后,对碳包覆后的YAG:Ce荧光粉进行二次高温处理,碳层与YAG:Ce荧光粉反应生成CO气体,使得荧光粉内部变为疏松多孔结构乃至裂解,从而有效地减小了YAG:Ce荧光粉的粒径。本发明通过碳包覆与二次高温处理,在减小Y |
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搜索关键词: | 一种 粒径 yag ce 荧光粉 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种小粒径YAG:Ce荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、将YAG:Ce荧光粉置于反应炉内,向炉内通入氮气以排出空气,保持氮气的持续通入;步骤2、将炉内温度升至500~800℃,在500~800℃温度下保温10~30min;当温度升至500~800℃时,向炉内通入乙炔气体1~10min;保温结束后,自然降温至室温,即可得到碳包覆的荧光粉;步骤3、将步骤2得到的碳包覆的荧光粉在真空条件下、氮气气氛保护下升温至1100~1700℃,保温1~5h,保温结束后,自然冷却至室温,即可得到所述小粒径YAG:Ce荧光粉。
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