[发明专利]一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法有效
| 申请号： | 201910658713.X | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110284198B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;吴耀政;张荣;王科;陶涛;谢自力;修向前;陈敦军;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B29/62 | 分类号： | C30B29/62;C30B29/40;C30B23/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法。本发明公开了一种采用PA‑MBE(分子束外延技术)制备高质量单晶GaN纳米线的方法，在Si衬底上先生长岛状AlN成核点，再在岛状AlN成核点上生长GaN纳米线。其特征在于：首先对Si衬底进行退火处理以获得洁净的重构Si表面，然后通过开发和优化AlN的成核层的生长方法和技术来制备岛状AlN成核点，并通优化退火温度和氮化时间来调控其分布及形貌，最后在优化的岛状AlN成核点上制备GaN纳米线。生长过程中，通过固定金属源束流和较高的N |
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| 搜索关键词： | 一种 控制 gan 纳米 结构 形貌 分子 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用PA‑MBE制备高质量单晶GaN纳米线的方法，其特征在于：在Si衬底上先生长岛状AlN成核点，再在岛状AlN成核点上生长GaN纳米线。
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