[发明专利]一种热阳极法生产高性能类金刚石的装置及其使用方法在审
申请号: | 201910658837.8 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110257797A | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 黄仕江;蒋源;袁明 | 申请(专利权)人: | 上海妙壳新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201311 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种热阳极法生产高性能类金刚石的装置,所述阴极弧源与真空腔体之间通过交流电源连接,且真空腔体的左侧设置有位于前后侧的第三磁场和第二磁场,所述真空腔体的内腔右侧设置有热阳极,且热阳极与左侧的阴极弧源之间设置有隔离板,所述真空腔体上开设有与热阳极对应的气体进入口,且热阳极与真空腔体之间通过直流电源连接。其使用方法包括以下步骤:S1靶材选择、S2热阳极选择、S3气体选择和S4阴极弧源设置。在该发明中,我们使用的是阴极弧源和热阳极来离化含C的气体,其离化电流高达100‑400A,可以稳定的高速沉积含H比较小的致密的优质的金刚石,其含H量小于15%,沉积速度可以达到8微米/小时。 | ||
搜索关键词: | 阳极 真空腔体 阴极弧源 类金刚石 阳极法 离化 磁场 直流电源连接 致密 气体进入口 高速沉积 交流电源 气体选择 阳极选择 金刚石 隔离板 靶材 沉积 内腔 生产 | ||
【主权项】:
1.一种热阳极法生产高性能类金刚石的装置,包括真空腔体(1)以及开设在真空腔体(1)后端的出气口,其特征在于:所述真空腔体(1)的内腔左侧设置有阴极弧源(4),且阴极弧源(4)的前后侧均设置有第一磁场(5),所述阴极弧源(4)与真空腔体(1)之间通过交流电源连接,且真空腔体(1)的左侧设置有位于前后侧的第三磁场(3)和第二磁场(2),所述真空腔体(1)的内腔右侧设置有热阳极(7),且热阳极(7)与左侧的阴极弧源(4)之间设置有隔离板(6),所述真空腔体(1)上开设有与热阳极(7)对应的气体进入口,且热阳极(7)与真空腔体(1)之间通过直流电源连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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