[发明专利]闪存的分裂栅极的制造方法

摘要

本发明涉及闪存的分裂栅极的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，基于多晶硅回填的工艺方案，通过一次光刻刻蚀获得同时具有垂直形貌的选择栅极和控制栅极，避免了多晶硅切割刻蚀工艺方案下由于光刻套准精度问题而带来的栅极关键尺寸的奇偶效应，很大程度的提高了工艺的工艺窗口以及工艺稳定性。

主权项

1.一种闪存的分裂栅极的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成初始膜层，其中初始膜层包括栅氧化硅层(OX)、多晶硅层(Poly)、氧化硅层(OX)和氮化硅层(SIN)；S2：以一光罩为掩膜对初始膜层进行光刻和刻蚀工艺，刻蚀掉未被光刻胶保护的区域的氮化硅层(SIN)、氧化硅层(OX)和多晶硅层(Poly)以形成多个间隔区域，最终在半导体衬底上形成由初始膜层区域‑间隔区域‑初始膜层区域构成的第一区域以及由间隔区域‑初始膜层区域‑间隔区域构成的第二区域；S3：在半导体衬底表面生长一层氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜层，使该层氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜层覆盖初始膜层区域的上表面和侧面，并覆盖间隔区域的上表面；S4：进行过量多晶硅的生长，以使多晶硅完全填满间隔区域，然后进行平坦化工艺，其中平坦化工艺以氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜层为停止层；S5：刻蚀暴露在外的氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜层并将其完全移除，并使氧化硅‑氮化硅‑氧化硅层底部的氮化硅层有轻微损失；S6：以暴露出的氮化硅为掩模层，进行多晶硅的回刻，然后进行氧化硅的生长，并进行平坦化工艺，平坦化工艺以氮化硅为停止层；S7：进行光刻以显开第二区域，并通过湿法刻蚀，以光刻胶和露出的氧化硅层为掩膜将曝开区域的氮化硅完全移除，继而通过干法刻蚀，将第二区域内的初始膜层区域的氧化硅层以及多晶硅完全移除，刻蚀过程停在初始膜层区域底部的栅氧化层上；S8：采用刻蚀工艺，将暴露在外的氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜层移除；S9：移除光刻胶，进行刻蚀工艺，将回填的多晶硅顶部的氧化硅完全移除；S10：涂布光刻胶，进行光刻以将第一区域内的间隔区域以及间隔区域两侧的初始膜层的部分区域曝开；S11：以光刻胶为掩膜，对第一区域内的初始膜层顶部暴露出来的氮化硅和氧化硅，以及间隔区域内的多晶硅进行刻蚀，并在其中添加各向同性刻蚀，将露出来的氧化硅‑氮化硅‑氧化硅膜层完全移除；以及S12：进行光刻胶的灰化，得到包括控制栅极和选择栅极的栅极结构。