[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910659564.9 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110783199A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 叶凌彦;卡罗司·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置的制造方法，在此方法中，堆叠形成于基材上方。所述堆叠包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，此些第一磊晶层和此些第二磊晶层彼此交替地堆叠。第一磊晶层包括硫、磷、硒、砷或上述的组合。对堆叠进行第一蚀刻制程，以形成鳍。介电层形成于鳍上方。暴露出鳍的通道区。使用碳氢化合物化学蚀刻法，对鳍的通道区中的第一磊晶层的每一者的第一部分进行第二蚀刻制程。第二蚀刻制程蚀刻第一磊晶层的蚀刻速率高于第二蚀刻制程蚀刻第二磊晶层的蚀刻速率。形成栅极结构，此栅极结构环绕鳍的通道区中的第二磊晶层的每一者的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶层 蚀刻 蚀刻制程 堆叠 通道区 栅极结构 半导体装置 化学蚀刻法 碳氢化合物 介电层 基材 环绕 暴露 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：/n形成一堆叠于一基材上方，其中该堆叠包括多个第一磊晶层和多个第二磊晶层，所述多个第一磊晶层和所述多个第二磊晶层彼此交替地堆叠；/n对该堆叠进行一第一蚀刻制程，以形成一鳍；/n形成一介电层于该鳍上方；/n暴露出该鳍的一通道区；/n使用碳氢化合物化学蚀刻法(hydrocarbon etch chemistry)，对该鳍的该通道区中的所述多个第一磊晶层的每一者的一第一部分进行一第二蚀刻制程，其中该第二蚀刻制程蚀刻所述多个第一磊晶层的一蚀刻速率高于该第二蚀刻制程蚀刻所述多个第二磊晶层的一蚀刻速率；以及/n形成一栅极结构，该栅极结构环绕该鳍的该通道区中的所述多个第二磊晶层的每一者的一第一部分。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
