[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201910659652.9 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110783335A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;王志豪;蔡庆威;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露是关于一种半导体元件及制造方法，且更特定而言关于具有鳍式结构的半导体元件，鳍式结构具有不同顶表面晶体取向及/或不同材料。本揭露提供一种包括N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件的半导体结构，其具有不同顶表面晶体取向及具有不同材料的鳍式结构。本揭露提供一种制造包括N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件的半导体结构的方法，N型鳍式场效晶体管元件及P型鳍式场效晶体管元件具有不同顶表面晶体取向及不同材料，用以实现最佳电子传输及空穴传输。本揭露亦提供一种二极管结构及在鳍式结构中包括硅锗的双极接面晶体管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍式结构 晶体取向 顶表面 半导体结构 半导体元件 双极接面晶体管 二极管结构 电子传输 空穴传输 硅锗 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：/n一基板；/n一第一鳍式结构，包括具有一第一顶表面晶体取向的一第一材料；以及/n一第二鳍式结构，包括具有一第二顶表面晶体取向的一第二材料；/n其中该第二材料不同于该第一材料及该第二晶体取向不同于该第一顶表面晶体取向。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
