[发明专利]发光二极管外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910659984.7 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110364595B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 郭丽彬;程斌;鲍传保;周长健 | 申请（专利权）人： | 宁波安芯美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 王挺;魏玉娇 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭州湾*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管外延结构及其制备方法，所述制备方法包括，提供一衬底，于所述衬底上形成第一半导体层，于所述第一半导体层上形成发光层，于所述发光层上形成第二半导体层，其中，其中，所述发光层包括多个量子阱单元组，所述多个量子阱单元组是堆栈设置，每一所述量子阱单元组包括至少一层势阱层以及至少一层势垒层，其中所述多个量子阱单元组的势垒层的掺杂组成是相互不同。利用本发明，可有效提升器件的光电性能，实现辐射复合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延结构制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；于所述衬底上形成第一半导体层；于所述第一半导体层上形成发光层；于所述发光层上形成第二半导体层；其中，所述发光层包括多个量子阱单元组，所述多个量子阱单元组是堆栈设置，每一所述量子阱单元组包括至少一层势阱层以及至少一层势垒层，其中所述多个量子阱单元组的势垒层的掺杂组成是相互不同。
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