[发明专利]一种中温量子阱超晶格厚膜热电材料制备方法在审
| 申请号： | 201910661739.X | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN110257803A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈哲;何翠群;沈智;徐国栋;余阳春;何雪龙;幸世文 | 申请（专利权）人： | 南昌工程学院 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/52;H01L35/34 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 330099 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了热电材料技术领域的一种中温量子阱超晶格厚膜热电材料制备方法，该方法主要包含以下步骤：步骤一：将基底放置在加热台上并固定，启动加热台、箱体加热器和进气管加热器进行预热，步骤二：打开惰性气体管、前驱动体A管、前驱体B管和排气管，同时启动直线滑台带动加热台和基底移动进行原子层沉积操作，本方法实现了在常压下的沉积反应，摆脱了真空条件的限制，有利于降低薄膜制备成本，实现薄膜的高效率、低成本和批量化制备，避免惰性气体、前驱动体A和前驱动体B导致沉积温度超出ALD窗口之外，以致前驱体冷凝或热分解等引发化学气相沉积从而使得薄膜不均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 前驱动体 热电材料 制备 量子阱超晶格 加热器 加热台 前驱体 厚膜 中温 沉积 薄膜 化学气相沉积 惰性气体管 原子层沉积 薄膜制备 惰性气体 基底移动 真空条件 直线滑台 不均匀 低成本 高效率 进气管 排气管 批量化 热分解 冷凝 预热 常压 基底 加热 | ||
【主权项】：
1.一种中温量子阱超晶格厚膜热电材料制备方法，其特征在于该方法包含以下步骤：步骤一：将基底(220)放置在加热台(210)上并固定，启动加热台(210)、箱体加热器(230)和进气管加热器(350)进行预热；步骤二：打开惰性气体管(300)、前驱动体A管(310)、前驱体B管(320)和排气管(330)，同时启动直线滑台(200)带动加热台(210)和基底(220)移动进行原子层沉积操作。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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