[发明专利]虚拟栅极及具有金属栅极的半导体器件结构的制备方法有效
| 申请号： | 201910661868.9 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112289680B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 贾超超;刘佑铭;孙武;韩宝东 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种虚拟栅极及具有金属栅极的半导体器件结构的制备方法，虚拟栅极的制备方法包括如下步骤：1)提供一半导体衬底；2)于半导体衬底上形成虚拟栅极材料层，虚拟栅极材料层内掺杂有掺杂离子，掺杂离子的掺杂浓度沿虚拟栅极材料层的厚度方向渐变；3)对虚拟栅极材料层进行刻蚀以形成虚拟栅极，虚拟栅极的侧壁相较于半导体衬底的上表面倾斜预设夹角。本发明通过形成掺杂离子的掺杂浓度沿厚度方向渐变的虚拟栅极材料层，可以得到具有倾斜侧壁的虚拟栅极；当所述虚拟栅极用于制备金属栅极时，可以在去除后形成具有倾斜侧壁的填充沟槽，在具有倾斜侧壁的填充沟槽内进行填充形成金属栅极时不会形成孔洞，从而可以确保形成的金属栅极的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 虚拟 栅极 具有 金属 半导体器件 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司，未经芯恩（青岛）集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910661868.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种通信方法及装置
- 下一篇：Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
