[发明专利]一种DLC/CNx/MeN/CNx纳米多层膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910661891.8 申请日: 2019-07-22
公开(公告)号: CN110777341B 公开(公告)日: 2021-06-15
发明(设计)人: 杨芳儿;杨烁妍;郑晓华;常新新 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏;薄盈盈
地址: 310014 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及薄膜材料技术领域,为解决传统DLC薄膜与基体材料的结合强度较差、降低应力提高结合强度又会导致耐磨性能下降的问题,提供了一种DLC/CNx/MeN/CNx纳米多层膜,包括基体(1)、依次沉积于基体表面的金属过渡层(2)和纳米多层膜,所述纳米多层膜由若干纳米复合单元(3)组成,所述纳米复合单元由下至上依次为DLC层(4),第一梯度CNx层(5),金属氮化物层(6)和第二梯度CNx层(7)。本发明的纳米多层膜有效改善了传统沉积方法膜基结合力不高的问题,同时降低了内应力,并且有优良的耐磨性;制备方法步骤简单,工艺条件易于控制,制备过程安全无污染,成本低,易于实现产业化。
搜索关键词: 一种 dlc cnx men 纳米 多层 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种DLC/CNx/MeN/CNx纳米多层膜,其特征在于,包括基体(1)、依次沉积于基体表面的金属过渡层(2)和纳米多层膜,所述纳米多层膜由若干纳米复合单元(3)组成,所述纳米复合单元由下至上依次为DLC层(4),第一梯度CNx层(5),金属氮化物层(6)和第二梯度CNx层(7)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学,未经浙江工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910661891.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top