[发明专利]一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910664079.0 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110364575A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;刘新科;孙晓娟;贾玉萍;石芝铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 朱红玲 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。该二极管从下到上依次包括：欧姆接触金属阴极、衬底、第一外延层、第二外延层、梳状p区、肖特基接触金属阳极和绝缘层；所述的梳状p区包括若干个间隔排列的PN结p区和设置在外侧PN结p区两侧的若干个间隔排列的浮动场环。本发明还提供一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管的制备方法。该二极管通过梳状PN结结构，调节电场分布，避免电场集中，将集中在P型区边缘的电场分散在多个场环之间，降低电场的最大值，另外选取合适的场环宽度和间隙，能将集中在最外围场环的电场分散在各场环之间，避免局部电场过高，引起器件击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 结势垒肖特基二极管 场环 场环终端 浮动 梳状 制备 二极管 电场分散 间隔排列 外延层 绝缘层 半导体技术领域 阴极 欧姆接触金属 肖特基接触 电场分布 电场集中 金属阳极 局部电场 电场 衬底 击穿 围场 | ||
【主权项】：
1.一种具有浮动场环终端结构的结势垒肖特基二极管，其特征在于，从下到上依次包括：欧姆接触金属阴极、衬底、第一外延层、第二外延层、梳状p区、肖特基接触金属阳极和绝缘层；所述的梳状p区是先在第二外延层上进行光刻工艺，形成离子注入区域，然后制备P型区阻挡层，通过离子注入Mg+，然后退火激活Mg+，通过湿法刻蚀去除阻挡层后得到的；所述的梳状p区包括若干个间隔排列的PN结p区和设置在外侧PN结p区两侧的若干个间隔排列的浮动场环。
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