[发明专利]一种同时制备高纯硅化物和共晶硅基材料的方法在审
申请号: | 201910664196.7 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN110377613A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 雷云;王超;马文会;邱鹏;秦博;李绍元;魏奎先 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | G06F16/23 | 分类号: | G06F16/23;G06Q10/04;C01B33/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明涉及一种同时制备高纯硅化物和共晶硅基材料的方法,属于材料制备技术领域。将硅物料与金属物料混合后得到混合物料,利用定向凝固炉的加热器将混合物料加热至熔融状态形成硅基熔体;将硅基熔体进行定向凝固分离和提纯,定向凝固分离结束后,硅基合金根据相图析晶顺序依次被分离成金属硅化合物、高纯共晶硅基合金和杂质富集区;机械切割得到高纯金属硅化物材料和高纯共晶硅基合金材料。本发明可达到同时制备金属硅化物和共晶硅基合金材料的目的。 | ||
搜索关键词: | 共晶硅 高纯 基合金 制备 定向凝固 混合物料 硅化物 基材料 硅基 熔体 材料制备技术 金属硅化合物 加热器 定向凝固炉 硅化物材料 金属硅化物 高纯金属 硅基合金 机械切割 金属物料 熔融状态 杂质富集 硅物料 提纯 析晶 加热 | ||
【主权项】:
1.一种同时制备高纯硅化物和共晶硅基材料的方法,其特征在于步骤包括:步骤1、将硅物料与金属物料混合后得到混合物料,利用定向凝固炉的加热器将混合物料加热至熔融状态形成硅基熔体,其中加热温度为高于混合物料的熔点,气氛为真空或惰性气氛;步骤2、以缓慢速度定向移动步骤1中的硅基熔体或定向凝固炉的加热器进行定向凝固分离和提纯,定向凝固分离结束后,硅基合金根据相图析晶顺序依次被分离成金属硅化合物、高纯共晶硅基合金和杂质富集区;步骤3、机械切割分离步骤2中的金属硅化合物、高纯共晶硅基合金和杂质富集区,得到高纯金属硅化物材料和高纯共晶硅基合金材料。
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