[发明专利]三电平一体式SiC-Mosfet驱动系统及驱动控制方法

摘要

本发明涉及一种三电平一体式SiC‑Mosfet驱动系统，针对采用SiC‑Mosfet的I型三电平逆变器进行驱动设计，驱动系统采用一体化设计，集成了SiC‑Mosfet模块、栅极驱动板、控制板，控制板通过绝缘连接柱安装在各栅极驱动板上，控制板上集成有处理器，栅极驱动板上集成有栅极驱动电路与短路保护电路。本发明模块化程度高，结构紧凑。同时，本发明还涉及一种驱动控制方法，在SiC‑Mosfet发生短路时，短路保护电路能够检测出短路故障，FPGA芯片对各SiC‑Mosfet的驱动信号进行统一判断，采用分级关断策略，在内管故障时，按内外管关断顺序关断，在外管故障时，控制先关断外管，后关断内管，保证SiC‑Mosfet在短路耐受时间内安全关断；采用分级关断策略，在降低系统关断损耗的同时降低了系统过电压和电磁干扰。

主权项

1.一种三电平一体式SiC‑Mosfet驱动系统，其特征在于，包括SiC‑Mosfet模块、栅极驱动板以及控制板，所述SiC‑Mosfet模块包括由上桥臂SiC‑Mosfet组成的第一模块、由下桥臂SiC‑Mosfet组成的第二模块、以及由连接上、下桥臂两个中性点的SiC‑Mosfet组成的第三模块，所述第一模块、第二模块以及第三模块均安装有独立的栅极驱动板；所述控制板通过绝缘连接柱安装在各栅极驱动板上。