[发明专利]量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备在审
| 申请号： | 201910665612.5 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110746958A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 闵智玄;金善英;张银珠;章效淑;权秀暻;金龙郁 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;G02F1/1335;H01L33/50 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 金拟粲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 量子点、其制造方法、以及包括其的组合物、复合物和电子设备，所述量子点包括半导体纳米晶体芯和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述量子点不包括镉，其中所述芯包括III‑V族化合物，所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，所述最大光致发光峰的半宽度(FWHM)小于约50纳米(nm)，并且在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于约25纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 光致发光峰 半导体纳米晶体 吸收峰波长 电子设备 绿色光波 复合物 波长 制造 | ||
【主权项】：
1.量子点，包括/n半导体纳米晶体芯和设置在所述半导体纳米晶体芯上的半导体纳米晶体壳，/n其中所述量子点不包括镉，/n所述芯包括包含III族金属和V族元素的III-V族化合物，和/n所述量子点具有在绿色光波长区域中的最大光致发光峰，/n所述最大光致发光峰的半宽度小于50纳米，和/n在所述最大光致发光峰的波长和所述量子点的第一吸收峰波长之间的差异小于或等于25纳米。/n
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