[发明专利]具有增强的二氧化硅屏蔽涂层的PET容器的制造方法在审
申请号: | 201910665988.6 | 申请日: | 2015-09-10 |
公开(公告)号: | CN110438476A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 谢尔盖·B·波布罗夫;马克·D·施奈德 | 申请(专利权)人: | 格莱汉姆包装公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/02;C23C16/04;C23C16/40;C23C16/46;C23C16/50;C23C16/511;B65D23/02 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 金海霞;刘慧 |
地址: | 美国宾夕*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有增强的二氧化硅屏蔽涂层的PET容器的制造方法。具体地,本发明提供了一种用于向PET容器施加氧化硅屏蔽涂层的方法,其中所述PET容器包含具有内表面和外表面的壁,所述方法包括下述步骤:(a)加热PET容器以使得至少所述外表面处于约200℉至约383℉的温度;(b)在所述PET容器的至少所述外表面的温度处于约200℉至约383℉的温度时,通过在所述PET容器的至少所述内表面上施加至少一层氧化硅屏蔽层,形成涂层的PET容器;以及(c)在步骤b后冷却所述涂层的PET容器。 | ||
搜索关键词: | 屏蔽涂层 二氧化硅 内表面 氧化硅 施加 后冷却 屏蔽层 加热 制造 | ||
【主权项】:
1.一种PET容器,所述PET容器包含具有内表面和外表面的壁,其中所述内表面已被加热至约225℉至约383℉的温度并且涂层有氧化硅屏蔽涂层,并且所述PET容器由于所述氧化硅屏蔽涂层而在冷却后对氧具有屏蔽改善因子(BIF),其中在该涂层的PET容器暴露于热灭菌过程后,所述PET容器保留至少121%的BIF。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格莱汉姆包装公司,未经格莱汉姆包装公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910665988.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的