[发明专利]一种双异质结单极性晶体管的器件结构在审
| 申请号： | 201910666385.8 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110310989A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 朱敏;邹新波;杨杨 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/20;H01L29/205 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹;柏子雵 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双异质结单极性晶体管的器件结构，其特征在于，采用单极性输运的垂直器件结构，包括竖直布置的发射区、基区以及集电区，基区位于发射区及集电区之间，发射区与集电区可互换，发射区以及集电区采用AlGaN材料，基区采用GaN材料，基区的GaN材料与发射区及集电区的AlGaN材料形成两个背对背的肖特基结，从而形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构；发射极、基极以及集电极分别与发射区、基区以及集电区相连。本发明公开的是一种基于双异质结的垂直型器件，可实现常关型器件的特性，同时不易受表面电荷的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 发射区 集电区 基区 双异质结 单极性晶体管 器件结构 垂直器件结构 双异质结结构 垂直型器件 表面电荷 竖直布置 肖特基结 背对背 单极性 发射极 集电极 可互换 输运 | ||
【主权项】：
1.一种双异质结单极性晶体管的器件结构，其特征在于，采用单极性输运的垂直器件结构，包括竖直布置的发射区、基区以及集电区，基区位于发射区及集电区之间，发射区与集电区可互换，发射区以及集电区采用AlGaN材料，基区采用GaN材料，基区的GaN材料与发射区及集电区的AlGaN材料形成两个背对背的肖特基结，从而形成AlGaN/GaN/AlGaN双异质结结构；发射极、基极以及集电极分别与发射区、基区以及集电区相连。
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