[发明专利]功率半导体器件

摘要

本发明提供一种功率半导体器件，包括：具有单极传导结构和双极传导结构的半导体衬底，第一端子和第二端子。单极传导结构包括第一传导类型的第一区、第二区和第三区，其中，第二区的掺杂浓度低于第一区和第三区的掺杂浓度。双极传导结构包括与第一传导类型相反的第二传导类型的第四区、第二区和第五区。单极传导结构可操作以在第一端子和第二端子之间提供第一传导路径。双极传导结构可操作以在第一端子和第二端子之间提供第二传导路径。第一传导路径被配置为在功率半导体器件的导通状态期间，以第一频率接通和断开，并且第二传导路径被配置为在第一传导路径的断开阶段期间接通，在第一传导路径的导通阶段期间被断开。

主权项

1.一种功率半导体器件，包括：/n半导体衬底，其包括：/n单极传导结构，包括第一传导类型的第一区、第一传导类型的第二区和第一传导类型的第三区，其中，第二区的掺杂浓度低于第一区和第三区的掺杂浓度；以及/n双极传导结构，包括与第一传导类型相反的第二传导类型的第四区、第二区、第二传导类型的第五区；/n第一端子，可操作地联接到第一区；以及/n第二端子，可操作地联接到第三区和第五区；/n其中，所述单极传导结构可操作，以使用至少第一区、第二区和第三区，在第一端子和第二端子之间提供第一传导路径；/n其中，双极传导结构可操作以使用至少第四区、第二区和第五区，在第一端子和第二端子之间提供第二传导路径；/n其中，第一传导路径被配置为在功率半导体器件的导通状态期间，在施加控制信号的情况下，以第一频率接通和断开，以及第二传导路径被配置为在第一传导路径的断开阶段期间，以高传导率模式操作，并且在第一传导路径的导通阶段期间，以低传导率模式操作。/n