[发明专利]一种二维过渡金属硫族化合物晶体及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201910666944.5 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110257906B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 冯晴亮;朱美洁;李萌;郑建邦 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B25/10;C30B28/14;C30B29/46 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维过渡金属硫族化合物晶体及其制备方法和用途，所述制备方法包括如下步骤：(1)在加热装置中，沿着气流方向依次放置硫族单质源和过渡金属氧化物源；所述过渡金属氧化物源的表面覆盖有分子筛；所述过渡金属氧化物源的上方放置有生长基底；(2)向所述加热装置中通入保护性气体，升温至所述过渡金属氧化物源的温度达到化学气相沉积温度、硫族单质源的温度达到单质挥发温度，进行化学气相沉积，得到所述二维过渡金属硫族化合物晶体。通过本发明的方法能够制备得到大面积、均匀的单层或多层二维过渡金属硫族化合物晶体，能够用于偏振光电探测或拓扑场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 过渡 金属 化合物 晶体 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种二维过渡金属硫族化合物晶体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)在加热装置中，沿着气流方向依次放置硫族单质源和过渡金属氧化物源；所述过渡金属氧化物源的表面覆盖有分子筛；所述过渡金属氧化物源的上方放置有生长基底；(2)向所述加热装置中通入保护性气体，升温至所述过渡金属氧化物源放置处的温度达到化学气相沉积温度、硫族单质源放置处的温度达到单质挥发温度，进行化学气相沉积，得到所述二维过渡金属硫族化合物晶体。
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