[发明专利]一种密码芯片在审
| 申请号： | 201910667312.0 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110289244A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 杨祎巍;匡晓云;林伟斌;黄开天;崔超 | 申请（专利权）人： | 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王云晓 |
| 地址： | 510663 广东省广州市萝岗区科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种密码芯片，光刻蚀结构均由光刻蚀工艺而成，而在光刻蚀工艺中由于光学邻近效应会使得版图中的图形发生畸变。由于该预设版图经过光刻蚀所得到的光刻蚀结构的形貌会发生畸变，上述畸变具有较强的随机性，使得通过同一预设版图所光刻蚀出来的光刻蚀结构的形貌以及寄生电容值不尽相同。上述物理不可克隆函数电路可以生成对应上述各个光刻蚀结构的寄生电容值的密钥，当密码芯片受到侵入式攻击时，位于顶层金属层的光刻蚀结构会遭受破坏且无法通过其他手段恢复，从而造成物理不可克隆函数电路输出的密钥发生错误，使得有解密模块无法解密出存储模块中存储的密文，有效保护存储模块内存储信息的安全。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻蚀 密码芯片 畸变 物理不可克隆函数 形貌 光刻蚀工艺 存储模块 寄生电容 密钥 预设 光学邻近效应 随机性 顶层金属层 侵入式攻击 存储信息 电路输出 解密模块 图形发生 解密 密文 存储 电路 恢复 安全 | ||
【主权项】：
1.一种密码芯片，其特征在于，包括功能层和位于所述功能层上的顶层金属层；所述顶层金属层设置有至少一个光刻蚀结构，所述光刻蚀结构包括沿水平方向分布且相互隔离的第一导体和第二导体，所述第一导体与所述第二导体均通过预设版图光刻蚀而成；所述预设版图包括对应第一导体的第一遮蔽图形，以及对应第二导体的第二遮蔽图形；所述第一遮蔽图形包括至少一个沿预设方向延伸的遮蔽指；所述功能层设置有解密模块和存储模块，包括所述光刻蚀结构的物理不可克隆函数电路用于产生密钥；所述解密模块用于接收所述密钥和所述存储模块中存储的密文，并通过所述密钥对所述密文解密，以解密出明文。
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