[发明专利]一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法有效
| 申请号： | 201910667824.7 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110783167B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 乂馆信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 200080 上海市虹*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法，半导体材料图形衬底的制备方法包括选取衬底层；在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构；在具有所述凸起结构的所述衬底层的一侧生长外延层；去除所述衬底层上每个凹陷结构上方的外延层直至暴露所述衬底层，并保留所述衬底层上每个凸起结构上方的至少一部分外延层，形成若干籽晶结构，完成半导体材料图形衬底的制备。本发明的半导体材料图形衬底制备方法能够最大程度的减少由于异质衬底的晶格失配和热失配所带来的材料缺陷问题，获得高结晶质量的半导体材料薄膜和器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 图形 衬底 材料 薄膜 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体材料图形衬底的制备方法，其特征在于，包括：/n选取衬底层；/n在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构；/n在具有所述凸起结构的所述衬底层的一侧生长外延层；/n去除所述衬底层上每个凹陷结构上方的外延层直至暴露所述衬底层，并保留所述衬底层上每个凸起结构上方的至少一部分外延层，形成若干籽晶结构，完成半导体材料图形衬底的制备。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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