[发明专利]一种具有三维结构的HEMT器件的制备方法有效
| 申请号： | 201910667825.1 | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110783168B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 乂馆信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 200080 上海市虹*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有三维结构的HEMT器件的制备方法，该制备方法包括制备薄膜衬底结构；在每个籽晶结构上依附籽晶结构的形状生长一微米柱；在每个微米柱上依附微米柱的形状生长一功能层；在所有功能层上生长一层具有平滑表面的半导体薄膜层；在半导体薄膜层上制作源极和栅极；在远离源极和栅极的半导体薄膜层的一面制作漏极。本发明将栅极和漏极分别制作在半导体薄膜层的两面，所制备的二维电子气沟道不仅具有和半导体薄膜层的平面平行的部分，同时也具有和半导体薄膜层的平面纵向排布的部分，形成具有三维结构的HEMT器件，栅极和漏极之间的击穿电压即为半导体薄膜层厚度和材料决定的击穿电压，源极和漏极之间的击穿电压即为半导体薄膜层厚度和材料决定的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三维 结构 hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有三维结构的HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：/n制备薄膜衬底结构，所述薄膜衬底结构包括衬底层和若干籽晶结构，所述若干籽晶结构位于所述衬底层上；/n在每个所述籽晶结构上依附所述籽晶结构的形状生长一微米柱；/n在每个所述微米柱上依附所述微米柱的形状生长一功能层，所述功能层包括层叠的沟道层和势垒层；/n在所有所述功能层上生长一层具有平滑表面的半导体薄膜层；/n在所述半导体薄膜层上制作源极和栅极；/n在远离所述源极和所述栅极的所述半导体薄膜层的一面制作漏极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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