[发明专利]一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法有效
| 申请号： | 201910668607.X | 申请日： | 2019-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN110783170B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 姜涛 | 申请（专利权）人： | 乂馆信息科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/06;H01L33/00;H01L33/20 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 200080 上海市虹*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法，包括：制备半导体薄膜基底结构，所述半导体薄膜基底结构包括层叠的第一衬底层、若干籽晶结构和半导体薄膜层，且所述若干籽晶结构之间有孔洞且相互连通；将所述若干籽晶结构和所述半导体薄膜层从所述第一衬底层剥离；将所述若干籽晶结构远离所述半导体薄膜层的一侧与第二衬底层结合，完成半导体薄膜的剥离及转移衬底的过程。本发明的薄膜剥离及转移衬底的方法能够兼容各种外延衬底材料，同时还可以保留器件外延层薄膜的平滑表面，不影响在外延层薄膜上生长其它用于制备器件的功能层的后续工艺加工。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 薄膜 剥离 转移 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜剥离及转移衬底的方法，其特征在于，包括：/n制备半导体薄膜基底结构，所述半导体薄膜基底结构包括层叠的第一衬底层、若干籽晶结构和半导体薄膜层，且所述若干籽晶结构之间有孔洞且相互连通；/n将所述若干籽晶结构和所述半导体薄膜层从所述第一衬底层剥离；/n将所述若干籽晶结构远离所述半导体薄膜层的一侧与第二衬底层结合。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
